Консорциум зеленоградских предприятий приступил к разработке серии установок ионной имплантации для микроэлектронной отрасли. Проект нацелен на импортозамещение и замену старого отечественного оборудования.

В его реализации участвуют два научно-исследовательских института, базирующихся в Зеленограде — НИИТМ и НИИМЭ, а также Институт ядерной физики Сибирского отделения РАН. Об этом со ссылкой на представителей НИИТМ сообщает профильное издание CNews.

Планируемые к созданию установки предназначены для реализации технологии производства микроэлектронных приборов с проектной нормой 90 нанометров, а также на импортозамещение и замену отечественного оборудования прошлых лет. Ионные имплантеры смогут перекрывать диапазон энергий однозарядных ионов, требуемых в технологии масс (от бора до сурьмы) от 0,2 до 270 килоэлектронвольт (среднетоковая) и от 10 до 1 тысяч килоэлектронвольт (высокоэнергетическая).

На данный момент сотрудники НИИТМ с участием сибирских физиков-ядерщиков разработали эскизный проект среднетокового имплантера и приступили к созданию экспериментального образца установки. Также начата разработка высоковольтного имплантера. Первые экспериментальные образцы установок планируют изготовить и испытать на соответствие требованиям технологии в 2025–2026 годах.

Дальнейшее развитие работ предполагает создание опытных образцов и организацию серийного производства отечественных имплантеров, не уступающих по производственным возможностям современным зарубежным, что повысит технологический суверенитет России, отмечается в публикации. Финансирование создания отечественного оборудования ионной имплантации осуществляется за счет средств Минпромторга России. Объем финансирования в статье не уточняется.