«Микрон» хочет создать фабрику по производству чипов по технологии 28 нанометров

28 нм (0,028 мкм)[править | править вики-текст]
В третьем квартале 2010 года на новых мощностях расположенной на Тайване фабрики Fab 12 компании TSMC начался серийный выпуск продукции по технологии, получившей маркетинговое обозначение "28-нанометров"[13] (не является обозначением, рекомендуемым ITRS).

Многоядерные процессоры Snapdragon фирмы Qualcomm.
Мобильные процессоры Apple A7, изготовляемые Samsung.
AMD Steamroller (третье поколение Bulldozer, ожидается к середине 2014 года)[14][15]
Эльбрус-8С (восьмиядерный процессор серверного класса с архитектурой "Эльбрус", ожидается к 2015 году)[16][17]
В мае 2011 по технологии 28 нм фирмой Altera была выпущена самая большая в мире микросхема, состоящая из 3,9 млрд транзисторов[18].

22 нм (0,022 мкм)[править | править вики-текст]
22 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2012 гг. ведущими компаниями — производителями микросхем. Соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 32 нм.

22-нм элементы формируются путем фотолитографии, в которой маска экспонируется светом с длиной волны 193 нм[19][20].

В 2008 году, на ежегодной выставке высоких технологий International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско технологический альянс компаний IBM, AMD и Toshiba продемонстрировал ячейку памяти SRAM, выполненную по 22-нм техпроцессу из транзисторов типа FinFET, которые, в свою очередь, выполняются по прогрессивной технологии high-k/metal gate (затворы транзистора изготавливаются не из кремния, а из гафния), площадью всего 0,128 мкм² (0,58×0,22 мкм)[21].

Также о разработке ячейки памяти типа SRAM площадью 0,1 мкм² созданную по техпроцессу 22 нм объявили IBM и AMD[22]
Первые работоспособные тестовые образцы регулярных структур (SRAM) представлены публике компанией Intel в 2009 году[23]. 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм² функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм² оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм² является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM.

По такой технологии производятся (начала 2012 года):

Intel Ivy Bridge / Ivy Bridge-E
Intel Haswell (последователь Ivy Bridge, со встроенным GPU).
Intel Bay Trail-M (мобильные Pentium и Celeron на микроархитектуре Silvermont; сентябрь 2013)
16 нм FinFET[править | править вики-текст]
По состоянию на сентябрь 2014 TSMC продолжает разработки 16 нм техпроцесса на транзисторах с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET) и планирует начать 16 нм производство в 1 квартале 2015 года[24].

Есть более полная статья
В другом языковом разделе есть более полная статья Multigate_device (англ.)
Вы можете помочь проекту, расширив текущую статью с помощью перевода.
14 нм (0,014 мкм)[править | править вики-текст]
Согласно экстенсивной стратегии фирмы Intel уменьшение техпроцесса до 14 нм ожидается через год после представления чипа Haswell, архитектура будет называться Broadwell.

Строительство завода под названием Fab 42 в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию планировалось сдать в 2013 году. По заявлению Intel, он стал бы самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров, используя 14-нанометровую технологию на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Завод также стал бы первым массовым производством, совместимым с 450-мм пластинами.[25][26] В стройку планируется вложить более $5 млрд. На момент запуска Fab 42 станет, по ожиданиям, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах.

В январе 2014 года Intel объявила о задержке открытия завода Fab 42[27]. Открытие завода планируется в IV квартале 2014 года, массовое производство в I квартале 2015 года[28].

По состоянию на май 2014 компания Samsung продолжает разработки техпроцессов 14 нм LPE/LPP[29]. В 2015 году Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм[30].

Апрель 2015 — Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell).[31]

10 нм (0,01 мкм)[править | править вики-текст]
Тайваньский полупроводниковый производитель United Microelectronics (UMC) сообщил, что присоединится к технологическому альянсу IBM для участия в разработке 10 нм CMOS-техпроцесса[32].

В 2011 году публиковалась информация о планах Intel по развитию техпроцесса 10 нм к 2018 году[33].

Пробный выпуск продукции компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) по нормам 10 нм намечен на 2015 год, а серийный — на 2016 год[34].