В Зеленограде создали таблетку для диагностики болезней органов пищеварения

6 нм FinFET[править | править вики-текст]
По состоянию на сентябрь 2014 TSMC продолжает разработки 16 нм техпроцесса на транзисторах с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET) и планирует начать 16 нм производство в 1 квартале 2015 года[22].

Есть более полная статья
В другом языковом разделе есть более полная статья Multigate_device (англ.)
Вы можете помочь проекту, расширив текущую статью с помощью перевода.
14 нм (0,014 мкм)[править | править вики-текст]
Согласно экстенсивной стратегии фирмы Intel уменьшение техпроцесса до 14 нм ожидается через год после представления чипа Haswell, архитектура будет называться Broadwell.

Строительство завода под названием Fab 42 в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию планировалось сдать в 2013 году. По заявлению Intel, он стал бы самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров, используя 14-нанометровую технологию на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Завод также стал бы первым массовым производством, совместимым с 450-мм пластинами.[23][24] В стройку планируется вложить более $5 млрд. На момент запуска Fab 42 станет, по ожиданиям, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах.

В январе 2014 года Intel объявила о задержке открытия завода Fab 42[25]. Открытие завода планируется в IV квартале 2014 года, массовое производство в I квартале 2015 года[26].

По состоянию на май 2014 компания Samsung продолжает разработки техпроцессов 14 нм LPE/LPP[27]. В 2015 году Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм[28].

10 нм (0,01 мкм)[править | править вики-текст]
Тайваньский полупроводниковый производитель United Microelectronics (UMC) сообщил, что присоединится к технологическому альянсу IBM для участия в разработке 10 нм CMOS-техпроцесса[29].

В 2011 году публиковалась информация о планах Intel по развитию техпроцесса 10 нм к 2018 году[30].

Пробный выпуск продукции компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) по нормам 10 нм намечен на 2015 год, а серийный — на 2016 год[31].