НИИМЭ близок к созданию отечественного фоторезиста — материала, необходимого для одной из ключевых операций в микроэлектронном производстве.

О ходе работ в этой области на прошедшем в Сочи форуме «Микроэлектроника 2024», выступая перед премьер-министром России Михаилом Мишустиным, рассказала руководитель смежного с НИИМЭ зеленоградского завода «Микрон» Гульнара Хасьянова, следует из видеозаписи, опубликованной пресс-службой правительства. «27% оборудования, которое мы сейчас на всех расширяемых линейках [используем], уже российского отечественного производства. По материалам — 27 материалов отечественного производства. Можно сказать, что самый сложный материал — фоторезист — с 63-й попытки сделали», — сказала Хасьянова.

В этот момент ее перебил присутствовавший при разговоре научный руководитель НИИМЭ и президент Российской академии наук Геннадий Красников, отметивший, что опытно-конструкторские работы еще не закончены. Хасьянова, в свою очередь, парировала, что хотя это действительно так, опытный образец фоторезиста уже получился, подчеркнув, что он выполнен «на уровне мирового аналога». «В следующем году планируем, что уже перейдем на отечественный фоторезист», — добавила руководитель «Микрона».

Из реакции Михаила Мишустина следует, что данный вопрос находится в фокусе внимания правительства страны. «Мы ждем этого события, ждем. Геннадий Яковлевич [Красников] все время докладывает, поэтому дай бог, чтобы все получилось», — сказал премьер-министр.

Фоторезист — полимерный светочувствительный материал, используемый при фотолитографии, которая считается ключевой операцией в микроэлектронном производстве. Именно в ходе этой операции на кремниевой пластине, покрытой слоем фоторезиста, формируется рисунок, который создает структуру микросхемы.

Напомним, что в марте 2023 года зеленоградское АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (НИИМЭ) выиграло конкурс на заказ в 1,14 млрд рублей на научно-исследовательскую работу «Фотолиз», которая включает разработку и освоение производства литографических материалов для микроэлектронного производства. Актуальность данной работы тогда объяснялась прекращением поставок в Россию фоторезистов и антиотражающих покрытий иностранного производства для изготовления субмикронных интегральных схем. Согласно материалам госзаказа, работы должны быть завершены до 12 декабря 2025 года.